以高級氧化程序處理半導體製程中洗滌塔廢水之效率研究

本研究主要利用臭氧/金屬固相觸媒/紫外光等高級氧化程序,針對半導體產業中的 Local Scrubber 廢水氧化進行氧化處理的研究,探討使用高級氧化程序(Advanced Oxidation Processes, AOPs)分解 Local Scrubber 廢水中TOC成份的可行性,以作為高級氧化程序運用在此廢水回收再利用的技術參考。由研究結果得知,在中性緩衝溶液與鹼性緩衝溶液的條件下,添加固相觸媒Al2O3或TiO2/Al2O3之臭氧化 Local Scrubber 廢水實驗,略有助於提升去除TOC之效率,其中以添加Al2O3在鹼性緩衝溶液條件下,最具效益;在相同的鹼性緩衝溶液條件下,以臭氧/Al2O3之TOC去除率較單獨臭氧處理增加了25.92%;同時,臭氧/Al2O3在鹼性緩衝溶液條件下,亦是在各種臭氧/觸媒反應條件中,顯示出最高的TOC去除率,其值為87.63 %(30分鐘之氧化反應時間)。然而在原水為酸性氧化條件下(未調整pH值),添加Al2O3或TiO2/Al2O3均未能提高TOC之去除率。另外,以臭氧/UV紫外光之程序處理 Local Scrubber 原廢水(未調整pH值),在30分鐘之氧化反應時間,其TOC去除率高達95.31%,然而添加TiO2/Al2O3之實驗顯示出並無提升TOC去除率的效果。綜合此研究結果,若以臭氧高級氧化技術來分解 Local Scrubber 廢水中的TOC成份,以臭氧/UV紫外光之程序處理 Local Scrubber 原廢水,或者臭氧/Al2O3在鹼性緩衝溶液條件下,將是具備有效處理半導體產業中 Local Scrubber 廢水TOC成份的高級氧化技術。

作者:黃建彬